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線性微透鏡陣列

簡(jiǎn)介：

線性微透鏡陣列采用熔融石英和硅材料基底，由4個(gè)或8個(gè)透鏡組成。硅材料折射率高，可實(shí)現(xiàn)短焦距、高數(shù)值孔徑透鏡陣列設(shè)計(jì)，而熔融石英具有良好的熱穩(wěn)定性和可見光傳輸，便于對(duì)準(zhǔn)。線性微透鏡陣列用于在光纖到光纖或激光到光纖應(yīng)用中準(zhǔn)直和耦合光纖陣列，例如與半導(dǎo)體激光二極管一起使用。這些透鏡為近紅外（NIR）設(shè)計(jì)了增透鍍膜，用于1310和1550nm，是近紅外激光器或電信設(shè)備的理想選擇。

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產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品特點(diǎn)：

類型	尺寸 (mm)	間距 (μm)	涂層	Mode Field Diameter (mm)	產(chǎn)品編碼	單價(jià)
1 x 4 Linear Array	2.05 x 1.30	250	BBAR (1260-1675nm), Lens Side	Source: 0.0104 Target: 0.085	21-172	805
1 x 8 Linear Array	3.05 x 1.30	250	BBAR (1260-1675nm), Lens Side	Source: 0.0104 Target: 0.085	21-173	935
1 x 4 Linear Array	4.30 x 2.05	750	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.0092 Target: 0.25	21-174	805
1 x 8 Linear Array	7.30 x 2.05	750	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.0092 Target: 0.25	21-175	935
1 x 4 Linear Array	1.45 x 0.70	250	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.0092 Target: 0.08	21-176	805
1 x 8 Linear Array	2.45 x 0.70	250	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.0092 Target: 0.08	21-177	935
1 x 4 Linear Array	4.45 x 2.20	750	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.0104 Target: 0.25	21-178	805
1 x 8 Linear Array	7.45 x 2.20	750	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.0104 Target: 0.25	21-179	935
1 x 4 Linear Array	4.45 x 2.20	750	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.0092 Target: 0.25	21-180	805
1 x 8 Linear Array	7.45 x 2.20	750	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.0092 Target: 0.25	21-181	935
1 x 4 Linear Array	4.45 x 2.20	750	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.003 Target: 0.25	21-182	805
1 x 8 Linear Array	7.45 x 2.20	750	BBAR (1250-1620nm)	Source: 0.003 Target: 0.25	21-183	935

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